В следующем году дебютирует быстрая зарядка по технологии Qualcomm Quick Charge 4.0, которая будет интегрирована в новый чипсет Snapdragon 830. По сравнению с третьей версией она станет не эффективнее, но еще и безопаснее.
Основной проблемой, которую создает быстрая зарядка смартфонов и других мобильных устройств, и по сей день является перегрев аккумулятора. В некоторых случаях он может приводить к возгоранию и даже взрыву аккумулятора, что наглядно продемонстрировал печальный пример Samsung Galaxy Note 7.
Инженеры Qualcomm изрядно поработали над тем, чтобы снизить нагрев батареи в процессе зарядки и сделать сам процесс более безопасным. Это стало возможным благодаря разработке под названием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), то есть «умного» определения оптимального напряжения.
Суть в том, что быстрая зарядка достигается путем постепенного повышения напряжения с шагом, который у Quick Charge равняется 200 мВ. Quick Charge 3.0 использует диапазон от 3.6 В до 20 В.
Что касается скорости зарядки Quick Charge 4.0, то она пока не объявлена. В принципе, предыдущая версия Quick Charge 3.0 уже позволяла заряжать полностью «нулевой» аккумулятор емкостью 2750 мАч до 71% за 30 минут. Мы не удивимся, если в следующем году за это же время аналогичную батарею можно будет зарядить до 80-90%.
Согласно предварительной спецификации, новая версия обеспечивает мощность зарядного устройства до 28 Вт с параметрами тока 5 В/4.7 A ~ 5.6 A, 9В / 4А и т.п. Для сравнения текущая третья допускает максимальную мощность только 20 Вт.
Среди первых смартфонов, которые будут поддерживать быструю зарядку Quick Charge 4.0, ожидаются такие модели, как Samsung Galaxy S8, LG G6, Xiaomi Mi6 и т.д.
(Пока оценок нет)
Загрузка...