На этой неделе корейская компания показала чипы LPDDR4 рекордной емкости 8 Gb. Таким образом будущий Samsung Galaxy S8 может получить именно столько ОЗУ, а не 4 или 6 Gb, как предполагалось раннее.
Тренд на резкое увеличение объема оперативной памяти смартфонов начался именно в этом году, и запустили его не крупные производители вроде Samsung, а чисто китайские вендоры вроде LeEco и OnePlus.
Во-первых, в настоящее время чипы памяти LPDDR3/LPDDR4 дешевы как никогда. И добавление лишних 2 и более Gb не вызывает значительного увеличения конечной стоимости гаджета.
Во-вторых, именно небольшим брендам из Поднебесной в виду огромной конкуренции на внутреннем рынке сложнее всего привлекать внимание к своей продукции. Скажем, разработка оригинального дизайна обходится намного дороже наращивания ОЗУ.
Несмотря на то, что в нынешних условиях смартфоны с 6 Gb ОЗУ практически не выигрывают по производительности у 4-гигабайтных моделей, покупатели нередко предпочитают именно более «емкие» модели «на вырост».
Разумеется, Samsung просто не может остаться в стороне и спокойно глядеть, как китайцы уводят у нее «кусок пирога». Вполне вероятно, что новые скоростные чипы памяти LPDDR4 8 Gb предназначены именно для Galaxy S8.
В этой разработке один чип содержит четыре кристалла емкостью 16 Gbit. Это стало возможным благодаря применению нового техпроцесса 10 нанометров. При этом габариты микросхемы соответствуют современным требованиям компактности и составляют 15x15x1 мм.
Представители Samsung заявляют, что благодаря новому техпроцессу удалось удвоить не только емкость, но и скорость передачи данных LPDDR4, которая теперь составляет 4266 Мбит/с.
Такие высокие показатели очень пригодятся для воспроизведения и записи видеопотока с разрешением 4K, в приложениях виртуальной реальности и при работе с модными нынче двойными камерами.
Между прочим, по техпроцессу 10 нм будет производится и процессор Samsung Galaxy S8 (как ожидается, это будет Exynos 8895).
По материалам http://www.samsung.com/semiconductor/about-us/news/13861